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纳米材料键合在金属电极上的方法
  • 法律状态:授权
  • 申 请 号:200510028887.6
  • 申 请 日:2005-8-18
  • 公 开 号:CN1738018
  • 公 开 日:2006-02-22
  • 权 利 人:上海交通大学
  • IPC分类:电学
  • 专利类型:发明

      一种纳米材料键合在金属电极上的方法,属于纳米技术领域。本发明将准一维纳米材料连接于芯片上的金属电极之间,使准一维纳米材料的端部搭在金属电极的上表面或被压在金属电极下表面,使用加有超声的超声键合头挤压准一维纳米材料与金属电极的接触局部,使准一维纳米材料与金属电极焊接在一起。本发明使一维纳米材料和金属电极形成牢固可靠的接触,显著降低了接触电阻;超声压焊的设备来源于成熟的集成电路封装工艺,可以批量、快速地对大量金属电极上的准一维纳米材料进行压焊;相比其他降低接触电阻的方法,设备简单,成本低廉。